Спосіб вирощування кристалів YBa2Cu3O7-δ з різним ступенем відхилення від кисневої стехіометрії

Abstract

Спосіб вирощування кристалів YBa2Cu3O7-δ з різним ступенем відхилення від кисневої стехіометрії, що включає отримання суміші початкових компонентів (Y2O3, BaCO3 і CuO, всі марки ОСЧ взяті в атомному співвідношенні Y:Ba:Cu=2:25:73), декарбонізацію шляхом відпалу при 850 °C, причому для процесу гомогенізації і наступного вирощування шляхом зниження температури поміщають в золотий тигель і нагрівають в печі до температури 965 °C, при цьому розплав витримують при цій температурі протягом двох годин, а потім знижують температуру із швидкістю 2 °C/год. до температури 870 °C, при цьому градієнт температур уздовж тигля складає біля 3 °C/см, а піч вимикають і розплав з вирощеними кристалами охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що проводять додатковий відпал кристалів в атмосфері кисню або на повітрі при температурах 420-650 °C протягом від двох до трьох діб.