Please use this identifier to cite or link to this item: http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11202
Title: Спосіб виготовлення композиційного матеріалу на основі карбіду кремнію добавками нанопорошків частково стабілізованого оксидом ітрію, діоксиду цирконію з високими фізико-механічними властивостями
Authors: Геворкян, Едвін Спартакович
Вовк, Руслан Володимирович
Панченко, Сергій Володимирович
Чишкала, Володимир Олексійович
Нерубацький, Володимир Павлович
Плугін, Андрій Аркадійович
Морозова, Оксана Миколаївна
Борзяк, Ольга Сергіївна
Keywords: композиційний матеріал
хімічні елементи
карбід кремнію
нанопорошок
оксид ітрію
діоксид цирконію
Issue Date: 2022
Publisher: Державне підприємство “Український інститут інтелектуальної власності”
Citation: Пат. № 150179 Україна Спосіб виготовлення композиційного матеріалу на основі карбіду кремнію добавками нанопорошків частково стабілізованого оксидом ітрію, діоксиду цирконію з високими фізико-механічними властивостями / винахідники : Е. С. Геворкян, Р. В. Вовк, С. В. Панченко, В. О. Чишкала, В. П. Нерубацький, А. А. Плугін, О. М. Морозова, О. С. Борзяк ; володілець : Український державний університет залізничного транспорту ; представник : С. В. Панченко ; заявл. 01.04.2021 ; опубл. 12.01.2022, Бюл. № 2.
Abstract: Спосіб виготовлення композиційного матеріалу на основі карбіду кремнію (SiC) добавками нанопорошків частково стабілізованого оксидом ітрію, діоксиду цирконію (ZrO2 - 3 мас. % Y2O3) з високими фізико-механічними властивостями, при якому виконують спікання при температурі 1400 °С, без утворення рідинної фази, у тому числі містить оксид міді CuO етилсилікат. Керамічні порошки в співвідношенні 75 % субмікронного карбіду кремнію SiC, 30 мас. % оксиду міді, змішують в вібраційному млині, потім додають 10 мас. % етилсилікату, 10 мас. % ZrO2 - 3 мас. % Y2O3 - 5-10 мас. % перетирають крізь сито та додають тиск 80-100 МПа, причому композиційну шихту спікають при температурі Т=14000 °С протягом 60 хвилин, а розмір зерен 30-60 нм; причому CuO з розміром зерен 5-10 мкм.
URI: http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11202
Appears in Collections:2022

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
patent150179.pdf153.81 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.