Please use this identifier to cite or link to this item:
http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11270Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Плахтій, Олександр Андрійович | - |
| dc.contributor.author | Нерубацький, Володимир Павлович | - |
| dc.contributor.author | Хоружевський, Григорій Анатолійович | - |
| dc.contributor.author | Plakhtii, O. A. | - |
| dc.contributor.author | Nerubatskyi, V. P. | - |
| dc.contributor.author | Khoruzhevskyi, H. A. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-10-07T10:34:04Z | - |
| dc.date.available | 2022-10-07T10:34:04Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Плахтій О. А. Перспективи розвитку силової електроніки шляхом застосування нових технологій на базі карбіду кремнію / О. А. Плахтій, В. П. Нерубацький, Г. А. Хоружевський // Енергоефективність на транспорті : тези доповідей міжнародної науково-технічної конференції (18-20 листопада 2020 р.). - Харків : УкрДУЗТ, 2020. - С. 44-46. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11270 | - |
| dc.description.abstract | Кремній є основним напівпровідниковим матеріалом для виробництва сучасної електроніки. Проте, за останні роки з’явилася нова, більш перспективна технологія, що дозволяє підвищити енергоефективність перетворювальної техніки. Зокрема, в сегменті силової електроніки, найбільш перспективними матеріалами є карбід кремнію (SiC) та нітрид галію (GaN). | uk_UA |
| dc.publisher | Український державний університет залізничного транспорту | uk_UA |
| dc.title | Перспективи розвитку силової електроніки шляхом застосування нових технологій на базі карбіду кремнію | uk_UA |
| dc.title.alternative | Prospects for the development of power electronics by application of new technologies based on silicon carbide | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Енергоефективність на транспорті | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Plakhtii.pdf | 415.89 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.