Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11270| Назва: | Перспективи розвитку силової електроніки шляхом застосування нових технологій на базі карбіду кремнію |
| Інші назви: | Prospects for the development of power electronics by application of new technologies based on silicon carbide |
| Автори: | Плахтій, Олександр Андрійович Нерубацький, Володимир Павлович Хоружевський, Григорій Анатолійович Plakhtii, O. A. Nerubatskyi, V. P. Khoruzhevskyi, H. A. |
| Дата публікації: | 2020 |
| Видавництво: | Український державний університет залізничного транспорту |
| Бібліографічний опис: | Плахтій О. А. Перспективи розвитку силової електроніки шляхом застосування нових технологій на базі карбіду кремнію / О. А. Плахтій, В. П. Нерубацький, Г. А. Хоружевський // Енергоефективність на транспорті : тези доповідей міжнародної науково-технічної конференції (18-20 листопада 2020 р.). - Харків : УкрДУЗТ, 2020. - С. 44-46. |
| Короткий огляд (реферат): | Кремній є основним напівпровідниковим матеріалом для виробництва сучасної електроніки. Проте, за останні роки з’явилася нова, більш перспективна технологія, що дозволяє підвищити енергоефективність перетворювальної техніки. Зокрема, в сегменті силової електроніки, найбільш перспективними матеріалами є карбід кремнію (SiC) та нітрид галію (GaN). |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/11270 |
| Розташовується у зібраннях: | Енергоефективність на транспорті |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Plakhtii.pdf | 415.89 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.