Please use this identifier to cite or link to this item: http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/6494
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВовк, Руслан Володимирович-
dc.contributor.authorГеворкян, Едвін Спартакович-
dc.contributor.authorКамчатна, Світлана Миколаївна-
dc.contributor.authorБілецький, Володимир Іванович-
dc.date.accessioned2021-05-08T07:54:23Z-
dc.date.available2021-05-08T07:54:23Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationПат. № 131979 Україна Спосіб вирощування бездомішкових монокристалів / винахідники : Р. В. Вовк, Е. С. Геворкян, С. М. Камчатна, В. І. Білецький ; володілець : Український державний університет залізничного транспорту ; заявл. 25.07.2018 ; опубл. 11.02.2019, Бюл. № 3.uk_UA
dc.identifier.urihttp://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/6494-
dc.description.abstractСпосіб вирощування бездомішкових монокристалів високотемпературного надпровідника включає отримання суміші початкових компонентів (Y2O3, ВаСО3 і CuO, всі марки ОСЧ узяті в атомному співвідношенні Y:Ba:Cu=2:25:73), декарбонізацію шляхом відпалу при 850 °C. Для процесу гомогенізації і наступного вирощування шляхом зниження температури поміщають в золотий тигель і нагрівають в печі до температури 965 °C, причому розплав витримують при цій температурі протягом двох годин, а потім знижують температуру із швидкістю 2 °C/год. до температури. 870 °C, при цьому градієнт температур уздовж тигля складає біля 3 °C/см, а піч вимикають і розплав з вирощеними кристалами охолоджують до кімнатної температури.uk_UA
dc.publisherМіністерство економічного розвитку і торгівлі Україниuk_UA
dc.subjectмонокристалиuk_UA
dc.subjectпечіuk_UA
dc.subjectтигельuk_UA
dc.titleСпосіб вирощування бездомішкових монокристалівuk_UA
Appears in Collections:2019

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
patent131979.pdf181.4 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.