Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/6494| Назва: | Спосіб вирощування бездомішкових монокристалів |
| Автори: | Вовк, Руслан Володимирович Геворкян, Едвін Спартакович Камчатна, Світлана Миколаївна Білецький, Володимир Іванович |
| Ключові слова: | монокристали печі тигель |
| Дата публікації: | 2019 |
| Видавництво: | Міністерство економічного розвитку і торгівлі України |
| Бібліографічний опис: | Пат. № 131979 Україна Спосіб вирощування бездомішкових монокристалів / винахідники : Р. В. Вовк, Е. С. Геворкян, С. М. Камчатна, В. І. Білецький ; володілець : Український державний університет залізничного транспорту ; заявл. 25.07.2018 ; опубл. 11.02.2019, Бюл. № 3. |
| Короткий огляд (реферат): | Спосіб вирощування бездомішкових монокристалів високотемпературного надпровідника включає отримання суміші початкових компонентів (Y2O3, ВаСО3 і CuO, всі марки ОСЧ узяті в атомному співвідношенні Y:Ba:Cu=2:25:73), декарбонізацію шляхом відпалу при 850 °C. Для процесу гомогенізації і наступного вирощування шляхом зниження температури поміщають в золотий тигель і нагрівають в печі до температури 965 °C, причому розплав витримують при цій температурі протягом двох годин, а потім знижують температуру із швидкістю 2 °C/год. до температури. 870 °C, при цьому градієнт температур уздовж тигля складає біля 3 °C/см, а піч вимикають і розплав з вирощеними кристалами охолоджують до кімнатної температури. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://lib.kart.edu.ua/handle/123456789/6494 |
| Розташовується у зібраннях: | 2019 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| patent131979.pdf | 181.4 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.