Вакансионные кластеры фтора в кремнии

Abstract

UA: Відомо, що домішки фтору F і вакансійні кластери фтор-ванадію FnVm (n≥4, m≥1) в кремнії (Si) здатні уповільнювати швидкоплинну міжвузлову дифузію бору (B). Недавні дослідження установили, що концентрація кластерів FnVm є незначною, що суперечить результатам багатьох теоретичних досліджень. У роботі ми проводимо розрахунок електронної структури з метою обчислення енергії зв'язку кластерів FnVm та Vn. Значні енергії зв'язку кластерів Vn свідчать про те, що концентрація крупних кластерів FnVm обмежена в порівнянні з концентрацією Vn і кластерів менших розмірів.

EN: It is known that Fluorine (F) doping and formation of F-vacancy (FnVm) clusters (for n ≥4, m≥1) in silicon (Si) can suppress the transient self-interstitial mediated diffusion of boron (B). Recent experimental studies have revealed that the concentration of FnVm clusters is insignificant, which is in disagreement with results of a number studies. In the present study we use electronic structure calculations to evaluate the binding energies of FnVm clusters and Vn clusters. Significant binding energies of the Vn clusters reveal that the concentration of the large FnVm clusters is limited if compared to that of Vn or even smaller clusters.